普赛斯第三代半导体功率器件静态参数测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；

IGBT测试系统图

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

高电压、大电流

具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)

具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

高精度测量

nA级漏电流,  μΩ级导通电阻

0.1%精度测量

模块化配置

可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

测试效率高

内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

支持国标全指标的一键测试

扩展性好

支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

第三代半导体功率器件静态参数测试设备特点和优势：

单台Z大3500V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；

15us的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；

可定制夹具；

nA级电流和uΩ级电阻测量；